Производитель Номер продукта:
TSM6N60CH C5G
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM6N60CH C5G-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
Подробное описание:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Инвентаризация:
12893909
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM6N60CH C5G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.25Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1248 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
89W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251 (IPAK)
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
TSM6N60CH C5G-DG
TSM6N60CHC5G
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PSMN027-100XS,127
MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F
TSM60NB190CM2 RNG
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
TSM60NB099CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
